Renesas M306NKT-EPB Manual de usuario Pagina 20

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M306NKT-EPBユーザーズマニュアル 1.製品概要
RJJ10J0681-0200 Rev.2.00 2006.10.16
1.4 仕様一覧
1.5、表1.6に、M306NKT-EPBの仕様を示します。
1.5 M306NKT-EPBの仕様1
エミュレーション可能MCU M16C/6Nグループ
M16C/6N4, M16C/6N5, M16C/6NK, M16C/6NL, M16C/6NM, M16C/6NN
動作モード シングルチップモード
メモリ拡張モード
マイクロプロセッサモード
最大動作周波数 24MHz(PLL使用時)
対応電源電圧 3.05.5V
エミュレーションメモリ MCU内部フラッシュROM512KB4KB
0F000h0FFFFh, 80000hFFFFFh、最大動作周波24MHz 0ウェイト
※エミュレータデバッガのMCU SettingダイアログMCUタブ内で
オプションをチェックした場合:10MHz
MCU内部RAM31KB
00400h07FFFh、最大動作周波数:24MHz 0ウェイト
CS3#CS0#領域(4KB単位で割り付け可能)
5.0[V] 0ウェイト: 7.0MHz,
1ウェイト: 20.0MHz,
2ウェイト、3ウェイト:24.0MHz
3.0[V] 0ウェイト: 6.0MHz,
1ウェイト: 17.0MHz,
2ウェイト、3ウェイト:24.0MHz
クロック供給源 XIN-XOUT (116MHz)
内部発振回路基板、外部発振入力、内部発振生成回路切り替え可能
X
CIN-XCOUT (32.768kHz)
内部発振回路、外部発振入力切り替え可能
基本デバッグ機能 ・ダウンロード
・アドレス一致ブレーク(最大8)
S/Wブレーク(最大64点)
・プログラム実行/停止(フリーラン実行、S/Wブレーク付き実行可能)
・メモリ参照/設定(C数参照/変更可能、ランタイム実行可能
・レジスタ参照/設定
・逆アセンブル表示
Cソースレベルデバッグ
リアルタイムトレース機能 256Kサイクルのバス情報を記録可能
(バス、外部トリガ、タイムスタンプ)
・トレースモードとして、Break/Before/About/After/Fullを設定可能
・イベントによる書き込みON/OFF可能
リアルタイムRAMモニタ機能 4,096バイ(256バイト×16)
・データ/最終アクセス履歴参照可
H/Wブレーク機能 8点(実行アドレス/バス検出/割り込み/外部トリガ信号)
実行時間計測機能 プログラム実行から停止までの実行時間
指定4区間の最大/最小/平均実行時間および通過回数
カウントクロック:MCUクロックまた16MHz
C0カバレッジ 8,192Kバイト(256Kバイト×32ブロック)
外部トリガ入力/イベント出力 外部トリガ入力(MCU電圧CMOSレベル×8
またはイベント出力(ブレーク×1、イベント×7
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